Транзистор полевой MOSFET IRF640N

Артикул: ART-14839

Транзистор полевой MOSFET IRF640N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
• |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-утечка: 200 V
• |Vgs|ⓘ - максимально допустимое напряжение затвор-утечка: 20 V
• |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
• |Id|ⓘ - максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
• Время роста (tr): 19 ns
• Выходная емкость (Cd): 185 pf
• Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB