Транзистор полевой MOSFET IRF630N

Артикул: ART-14838

Транзистор полевой MOSFET IRF630N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
• |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-утечка: 200 V
• |Vgs|ⓘ - максимально допустимое напряжение затвор-утечка: 20 V
• |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
• |Id|ⓘ - максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
• Время роста (tr): 14 ns
• Выходная емкость (Cd): 89 pf
• Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB